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行業新聞

手機充電歷程

發布時間:[2017-06-09]瀏覽次數:8504次
1.QC1.0充電協議:
突破了BC1.2充電協議的最大1.5A電流極限。
達到5V2A,充電時間縮短40%

2.QC2.0快充協議:   識別芯片:  FP6601 / FP6600
開啟了高電壓充電時代,打破多年的常規5V輸出電壓標準提升至9V/12V/20V,
通過識別USB的D+/D-電壓,與QC2.0識別IC進行握手識別,
輸出方案:5V2A、9V2A、12V1.5A(18W),
并且線材不需要特殊處理舊有線材都能夠通用。

3.QC3.0快充協議:     識別芯片: FP6601Q
QC2.0的升級版本,走的是精細路線, 采用INOV算法,以0.2V為一檔調整,
最低可下探至3.6V最高電壓20V,并且向下兼容QC2.0:9V,12V,20V。
由于Type-c接口逐步取代原來的MicroUSB接口,最大電流也提升到了3A;
標準輸出方案:3.6V~6.5V3A,6.5V~9V2A,9V~12V1.5A      (18W)

4.QC4.0快充協議:
QC4.0快充識別IC(待更新添加),會在第一時間更新帖子,請期待。

2016年11月17日,高通剛剛在紐約的驍龍技術峰會上發布了新一代的快充技術QC4.0。高通認為,快充已經成為了影響用戶購買設備的重要因素之一,高通最新的QC4.0快充技術,能夠給用戶帶來讓人滿意的快速充電體驗。高通用“5 FOR 5”來形容QC4.0,這項技術能在充電5分鐘的的情況下,讓用戶使用5個小時(電池容量:2750mAh),它可以在15分鐘內,將一個電池容量為2750mAh的設備充至50%的電量。QC4.0向下兼容以往的QC3.0/QC2.0快充,支持USB Type-C、USB PD。 

5.QC4.0快充協議的改進主要在以下幾個方面:

                             1、支持USB Type-C、USB PD,具備更強的兼容性;

                             2、在節電器中增加了更先進的技術,延長電池使用壽命,提升充電的安全性;

                             3、通過INOV算法最大化提升充電效率 (即QC3.0的:20mV為一檔),優化充電過程,減少發熱;

                             4、使用第二個電源管理芯片以提供雙重快充,結合智能熱平衡設計,優化充電效率。

6.QC4.0快充識別IC:將會第一時間更新,期待。

QC4.0技術將最高功率調整到28W,方案設計為5V/4.7A~5.6A和9V/3A,舍棄了12V的設計,且步進電壓調整為10mV。目前的QC3.0常見方案為輸出3.6V~6.5V3A,6.5V~9V2A,9V~12V1.5A,標稱最大輸出功率18W。如此一來,QC4.0將支持大電壓與大電流兩種方案,充電速度進一步提升的同時也將改善發熱以及對電池的損耗。

7.QC4.0快充電源管理芯片(即手機端)

QC4.0快充協議使用了最新的電源管理芯片SMB1380和SMB1381


QC4.0快充協議雖然已經發布。但是相關手機產品,IC廠商的快充識別IC,電源管理芯片還未出來,個人估計也要到7/8月份左右。現還是QC3.0獨占鰲頭,所以QC4.0快充這塊還不用太過于專注,多了解一下即可。

 

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